サージVRD 面実装型

サージVRD 面実装型
※逆阻止型SMDVRD ZSDタイプのみ販売終了いたしました。

シリコンサージアブソーバVRDは、立ち上がりの急峻なサージ電圧を吸収する為に開発されたサージアブソーバです。 VRDは、シリコン接合のアバランシェ効果によりサージに対し応答性が非常に速く、その制御電圧は、ほとんど電流に依存することなくシャープであることなど、 従来のサージアブソーバの抱えていた問題点を解決した、高性能高信頼性デバイスです。

SEMITECのVRDはRoHS対応しています。

用途

・通信回線、通信装置の誘導雷サージ保護
・静電気対策
・EMP対策
・リレー、ソレノイド等、開閉サージの保護
・火災検知器等のサージ保護
・その他、異常電圧発生時の電子回路保護

外形寸法図

定格

項目 記号 定格 単位 条件
定格電力 P 1.0 W ガラスエポキシ基板実装
過渡許容電力 Pp 300 W 10/1000µs波形
1200 W 1.2/50µs波形
2000 W 8/20µs波形
接合温度 Tj -40~150
保存温度範囲 Tstg -40~150
定格電圧 Vs 電気的特性に記載

VRD(シリコンサージアブソーバ)の使い方

【 VRDとは 】
電気機器の誤作動や機器停止の原因となるサージ。それらを防ぐためにサージアブソーバは必要不可欠です。
SEMITECのシリコンサージアブソーバVRDは、立ち上がりの急峻なサージ電圧を吸収する為に開発されたサージアブソーバです。VRDは、シリコン接合のアバランシェ効果によりサージに対し応答性が非常に速く、その制御電圧は、ほとんど電流に依存することなくシャープである高性能高信頼性デバイスです。

VRDはシリコンのP-N接合半導体のアバランシェ効果を利用したサージアブソーバであり、大きな特徴は、他のアブソーバ※に比べて応答速度が非常に速いことです。
その為、通信回線、通信装置の誘導雷サージ保護や静電気対策、EMP対策、リレー、ソレノイド等、開閉サージの保護などの対策に適しています。
電気機器に接続された電源線や通信及び信号線にサージアブソーバを設置し、サージ電圧を抑制することで電気機器を保護することができます。

※ガスチューブアレスタや金属酸化物系バリスタ(当社品名ゼナミック)など

【使用回路例】
代表的な使用回路である、誘導性負荷の開閉サージ抑制、3端子レギュレータ、通信ラインのサージ保護回路の回路例を以下に示します