Surface Mount VRD面実装型VRD

シリコンサージアブソーバVRDは、立ち上がりの急峻なサージ電圧を吸収する為に開発されたサージアブソーバです。 VRDは、シリコン接合のアバランシェ効果によりサージに対し応答性が非常に速く、その制御電圧は、ほとんど電流に依存することなくシャープであることなど、 従来のサージアブソーバの抱えていた問題点を解決した、高性能高信頼性デバイスです。

SEMITECのVRDはRoHS対応しています。

カタログダウンロードカタログダウンロード

用途

・通信回線、通信装置の誘導雷サージ保護
・静電気対策
・EMP対策
・リレー、ソレノイド等、開閉サージの保護
・火災検知器等のサージ保護
・その他、異常電圧発生時の電子回路保護

双方方向型SMD VRD ZSタイプ

最大定格

項目記号定格単位条件
定格電力P1.0Wガラスエポキシ
基盤実装
過渡許容電力PP300W10/1000μs印加時
1200W1.2/50μs印加時
2000W8/20μs印加時
接合温度Tj-40〜150 
保存温度範囲Tstg-40〜150 
定格電圧Vs電気的特性に記載
逆耐圧VPRV200VIt=10μA

外形図

電気的特性

形名 項目 ブレークダウン
電圧
定格電圧 最大
漏れ電流
最大制限電圧/
最大許容電流
最大温度
係数
静電容量
(参考値)
記号 VB Vs ILmax Vcmax/Ipp   C
条件 It=1mA D.C. Vs 10/1000μs 8/20μs 25℃〜50℃  
単位 V V μA V A V A %/℃ pF
ZS1012 12(10.8〜13.2) 9.72 10 17.3 17.3 22.4 89.3 0.066 551
ZS1015 15(13.5〜16.5) 12.1 5 22.0 13.6 28.5 70.2 0.075 465
ZS1018 18(16.2〜19.8) 14.5 26.5 11.3 34.4 58.1 0.079 376
ZS1022 22(19.8〜24.2) 17.8 31.9 9.40 41.4 48.3 0.082 299
ZS1027 27(24.3〜29.7) 21.8 39.1 7.67 50.7 39.4 0.085 248
ZS1033 33(29.7〜36.3) 26.8 47.7 6.29 61.8 32.4 0.087 198
ZS1039 39(35.1〜42.9) 31.6 56.4 5.32 73.1 27.4 0.090 164
ZS1047 47(42.3〜51.7) 38.1 67.8 4.42 88.0 22.7 0.092 137

(Ta=25℃)

単方向型SMD VRD ZSUタイプ

最大定格

項目記号定格単位条件
定格電力P1.0Wガラスエポキシ
基盤実装
過渡許容電力PP300W10/1000μs印加時
1200W1.2/50μs印加時
2000W8/20μs印加時
接合温度Tj-40〜150 
保存温度範囲Tstg-40〜150 
定格電圧Vs電気的特性に記載
逆耐圧VPRV200VIt=10μA

外形図

電気的特性

形名 項目 ブレークダウン
電圧
定格電圧 最大
漏れ電流
最大制限電圧/
最大許容電流
最大温度
係数
静電容量
(参考値)
記号 VB Vs ILmax Vcmax/Ipp   C
条件 It=1mA D.C. Vs 10/1000μs 8/20μs 25℃〜50℃  
単位 V V μA V A V A %/℃ pF
ZS1012U 12(10.8〜13.2) 9.72 10 17.3 17.3 22.4 89.3 0.066 1102
ZS1015U 15(13.5〜16.5) 12.1 5 22.0 13.6 28.5 70.2 0.075 929
ZS1018U 18(16.2〜19.8) 14.5 26.5 11.3 34.4 58.1 0.079 751
ZS1022U 22(19.8〜24.2) 17.8 31.9 9.40 41.4 48.3 0.082 598
ZS1027U 27(24.3〜29.7) 21.8 39.1 7.67 50.7 39.4 0.085 497
ZS1033U 33(29.7〜36.3) 26.8 47.7 6.29 61.8 32.4 0.087 395
ZS1039U 39(35.1〜42.9) 31.6 56.4 5.32 73.1 27.4 0.090 328
ZS1047U 47(42.3〜51.7) 38.1 67.8 4.42 88.0 22.7 0.092 274

(Ta=25℃)

逆阻止型SMD VRD ZSDタイプ

最大定格

項目記号定格単位条件
定格電力P1.0Wガラスエポキシ
基盤実装
過渡許容電力PP300W10/1000μs印加時
1200W1.2/50μs印加時
2000W8/20μs印加時
接合温度Tj-40〜150 
保存温度範囲Tstg-40〜150 
定格電圧Vs電気的特性に記載
逆耐圧VPRV200VIt=10μA

外形図

電気的特性

形名 項目 ブレークダウン
電圧
定格電圧 最大
漏れ電流
最大制限電圧/
最大許容電流
最大温度
係数
静電容量
(参考値)
記号 VB Vs ILmax Vcmax/Ipp   C
条件 It=1mA D.C. Vs 10/1000μs 8/20μs 25℃〜50℃  
単位 V V μA V A V A %/℃ pF
ZS1012D 12(10.8〜13.2) 9.72 10 17.3 17.3 22.4 89.3 0.066 30.2
ZS1015D 15(13.5〜16.5) 12.1 5 22.0 13.6 28.5 70.2 0.075 29.1
ZS1018D 18(16.2〜19.8) 14.5 26.5 11.3 34.4 58.1 0.079 28.2
ZS1022D 22(19.8〜24.2) 17.8 31.9 9.40 41.4 48.3 0.082 27.3
ZS1027D 27(24.3〜29.7) 21.8 39.1 7.67 50.7 39.4 0.085 26.4
ZS1033D 33(29.7〜36.3) 26.8 47.7 6.29 61.8 32.4 0.087 25.5
ZS1039D 39(35.1〜42.9) 31.6 56.4 5.32 73.1 27.4 0.090 24.8
ZS1047D 47(42.3〜51.7) 38.1 67.8 4.42 88.0 22.7 0.092 24.0

(Ta=25℃)