Reverse blocking VRD逆阻止型VRD

シリコンサージアブソーバVRDは、立ち上がりの急峻なサージ電圧を吸収する為に開発されたサージアブソーバです。 VRDは、シリコン接合のアバランシェ効果によりサージに対し応答性が非常に速く、その制御電圧は、ほとんど電流に依存することなくシャープであることなど、 従来のサージアブソーバの抱えていた問題点を解決した、高性能高信頼性デバイスです。

SEMITECのVRDはRoHS対応しています。

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用途

・通信回線、通信装置の誘導雷サージ保護
・静電気対策
・EMP対策
・リレー、ソレノイド等、開閉サージの保護
・火災検知器等のサージ保護
・その他、異常電圧発生時の電子回路保護

ZDタイプ

最大定格

項目記号定格単位条件
定格電力P0.5W 
過渡許容電力PP250W10/1000μs印加時
1000W1.2/50μs印加時
3000W8/20μs印加時
使用温度範囲 -40〜125 
保存温度範囲Tstg-40〜130 
定格電圧Vs電気的特性に記載
逆耐圧VPRV200V10μs印加時

(Ta=25℃)

外形図

電気的特性

形名 項目 ブレークダウン
電圧
定格電圧 最大
漏れ電流
最大制限電圧/
最大許容電流
最大温度
係数
静電容量
(参考値)
記号 VB Vs ILmax Vcmax/Ipp   C
条件 It=1mA D.C. Vs 10/1000μs 8/20μs 25℃〜50℃  
単位 V V μA V A V A %/℃ pF
ZD015 15(12.8〜 17.2) 11.4 10 24.0 10.4 31.0 96.7 0.075 31.5
ZD018 18(15.3〜 20.7) 13.7 28.0 8.93 36.0 83.3 0.079 31.0
ZD022 22(18.7〜 25.3) 16.8 5 33.2 7.53 43.0 69.7 0.082 29.0
ZD027 27(23.0〜 31.0) 20.6 40.0 6.25 52.0 57.7 0.085 28.2
ZD033 33(28.1〜 37.9) 25.2 48.6 5.14 63.0 47.6 0.087 27.2
ZD039 39(33.2〜 44.8) 29.8 57.4 4.35 74.0 40.5 0.090 26.3
ZD047 47(40.0〜 54.0) 35.9 68.5 3.65 89.0 33.7 0.092 25.0
ZD056 56(47.6〜 64.4) 42.8 81.0 3.08 106 28.6 0.094 24.1
ZD068 68(57.8〜 78.2) 52.0 98.0 2.55 127 23.8 0.096 22.0

(Ta=25℃)